ICP(深硅刻蚀)

ICP (Deep Silicon Etching)

国际顶尖 SPTS LPX-Rapier 深硅刻蚀系统
侧壁垂直度≤90±0.3deg
侧壁粗糙度<100nm
结构深宽比>25:1(线宽2μm)
成熟的通孔刻蚀技术
引入全球一流厂商(英国SPTS)的深硅刻蚀机,采用经典Bosch工艺,刻蚀与钝化交替进行实现深硅结构的精雕细琢。这种刻蚀方法具有精度高、选择比大、侧壁粗糙度小和垂直度高等优势,目前刻蚀结构深宽比可达25:1以上(线宽2μm)。公司团队拥有资深ICP刻蚀工程师,可以为您提供专业准确的工艺咨询,针对不同结构、线宽深度等调试最佳工艺参数,实现从设计方案到成品的精确呈现。
ICP深硅刻蚀工艺参数
工艺条件及制程能力 刻蚀深度>450um 刻蚀深度>70um
Rapier 工艺规格 Rapier 工艺规格
硅片尺寸 4” 4”
刻蚀深度 > 450um > 70um
刻蚀速率 > 10um/min > 2um/min
对光阻选择比 > 100:1 > 25:1
对二氧化硅选择比 > 250:1 > 50:1
形貌垂直度 < 90±1deg < 90±0.3deg
侧壁粗糙度 < 500nm < 100nm
掩膜底部钻蚀 < 1um/side < 200nm/side
片内深度均匀性(5毫米去边) < ±5% < ±3%
片间深度均匀性 < ±3% < ±3%
倾斜度 < 0.6deg < 0.6deg
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