双面光刻机

Double Sides Mask Aligner

SUSS MA6双面光刻机
双面对准套刻
成熟小线宽光刻技术(<2μm)
精准图形转移
光刻工艺是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上的技术,是MEMS工艺中最为重要的工艺步骤之一。公司引进全球一流厂商SUSS的双面光刻机,可以满足多种接触方式,双面套刻等高精度曝光要求,同时配备成套完成光刻的工艺设备,涂、曝、显、检全方位实现高标准的光刻效果。
光刻工艺参数
工艺条件及制程能力 工艺规格
光强均匀性 ≤ ±2.5%
最高曝光线条分辨率 ≤ 0.8um
正面对准精度 ≤ ±0.5um
背面对准精度 ≤ ±1um
正面最小线宽 1um
接触方式 soft/hard/lo vac/vac contact
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